- Your cart is empty
- Kontynuować zakupy
Parametry tranzystora bipolarnego IRF840
- Napięcie źródła drenu Usi (maks.): 500V
- Prąd źródła drenu przy 25 C Isi (maks.): 8A
- Napięcie bramka-źródło Uzi (maks.): ± 20 V
- Rezystancja zamknięcia kanału Rsi: 850 mOhm
- Rozpraszanie mocy Psi (maks.): 125W
- Nachylenie: 4,9 S
- Napięcie progowe bramki: 4V
- Pakiet: TO-220AB
Musisz się zalogować, aby dodać opinię.
Opinie
W razie braku opinii o produkcie.