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Hauptmerkmale
| Konfiguration und Polarität | N. |
| Maximale Drain-Source-Spannung | 55 IM |
| Ablassstrom bei 25 ° C ohne Gehäusegrenzen | 41 EIN |
| Kanalwiderstand im U-Bereich öffnenVerschluss(nom) | 22…35 mΩ |
| Gate-Nennspannungsbereich | 4,5…10 IM |
| Maximale Gate-Spannung | 16 IM |
| Verschlussladung | 32 nCl |
| Energieverschwendung | 83 W. |
| Hinweis | HEXFET-Leistungs-MOSFETs Diskreter N-Kanal |
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