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Eigenschaften des Bipolartransistors BCP54
- Struktur - npn
- Kollektor-Emitter-Spannung, nicht mehr: 45 IM
- Kollektor-Basis-Spannung, nicht mehr: 45 IM
- Emitter-Basis-Spannung, nicht mehr: 5 V.
- Kollektorstrom, nicht mehr: 1 EIN
- Verlustleistung des Kollektors, nicht mehr: 1.5 W.
- Stromverstärkung des Transistors (hzB): von 40 Vor 250
- Grenzfrequenz des Stromübertragungsverhältnisses: 100 MHz
- Gehäuse: SOT-223
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