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RF4905
IR-4905-Transistor-p-Kanal, MOS (MOSFET).
Entwickelt für den Einsatz in Telekommunikations-, Mess- und Steuergeräten, Strombegrenzern, Automatisierung und anderen elektronischen Geräten.
Maximale Drain-Source-Spannung: -55 V.
Maximaler Drainstrom: -74 A.
Statischer Drain-Source-Widerstand: 0,02 Ohm.
Die Transistoren werden im Kunststoffgehäuse TO-220AB hergestellt.
Betriebstemperaturbereich: -55 bis +175 ° C.
IR-4905-Transistor-p-Kanal, MOS (MOSFET).
Entwickelt für den Einsatz in Telekommunikations-, Mess- und Steuergeräten, Strombegrenzern, Automatisierung und anderen elektronischen Geräten.
Maximale Drain-Source-Spannung: -55 V.
Maximaler Drainstrom: -74 A.
Statischer Drain-Source-Widerstand: 0,02 Ohm.
Die Transistoren werden im Kunststoffgehäuse TO-220AB hergestellt.
Betriebstemperaturbereich: -55 bis +175 ° C.
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